GaN(氮化鎵)MOS
VDS
(Max)
ID
(Max)
RDS
(on)(Max)
級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)
(D-mode內(nèi)置Si MOS)
級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)
(D-mode內(nèi)置Si MOS)
級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)
(D-mode內(nèi)置Si MOS)
型號(hào)
溝道
結(jié)構(gòu)
VTH
Qg
Qrr
Ciss
Coss
Crss
Tj
Rθjc
Rθja
封裝
HMN9N65D
N溝道
650V
1.65V
9A
220mohm
18nC
50nC
1150pF
25pF
1pF
-55-150 ℃
4.5℃/W
50℃/W
DFN8X8-2L
HMN9N65Q
N溝道
650V
1.65V
9A
220mohm
18nC
50nC
1150pF
25pF
1pF
-55-150 ℃
4.5℃/W
50℃/W
DFN5X6-2L
HMN11N65D/Q
N溝道
650V
1.65V
9A
125mohm
18nC
56nC
1050pF
56pF
2pF
-55-150 ℃
1.8℃/W
50℃/W
DFN8X8-2L/DFN5X6-2L
