如今的許多應(yīng)用環(huán)境，如計(jì)算和存儲(chǔ)、通信交換機(jī)和路由器以及無(wú)線通信，越來(lái)越依賴(lài)于數(shù)據(jù)處理，為了滿足5G通信下龐大的數(shù)據(jù)體系，進(jìn)一步推動(dòng)了5G通信設(shè)備中功率電路的發(fā)展應(yīng)用。整個(gè)電源系統(tǒng)必須具有高能效和高密度，以提供所需的高水平電源性能。

       我司推出的Super-Junction MOSFET &Split Gate Trench MOSFET 系列產(chǎn)品在保持合理的功耗下將高能效發(fā)揮到極致，全面提升了器件的開(kāi)關(guān)特性和導(dǎo)通特性。在優(yōu)化供電的所有關(guān)鍵方面，通過(guò)功能性升級(jí)與工藝技術(shù)優(yōu)化來(lái)降低總體成本。

       目前，我司已推出第二代Split Gate Trench MOSFET,相比于第一代產(chǎn)品，第二代產(chǎn)品特征導(dǎo)通電阻降低20%以上，ESD能力、大電流關(guān)斷能力、短路能力提升20%以上，具有更低的柵極電阻，可以滿足客戶更高能效更高可靠性的需求，產(chǎn)品的性價(jià)比進(jìn)一步提升。